干蝕刻采用的蝕刻劑是等離子體，其工作原理是利用等離子體和表面薄膜反應，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或者直接轟擊薄膜表面使之腐蝕的工藝，它的特點是，可以實現(xiàn)各項異性刻蝕，從而保證細心圖形轉(zhuǎn)移后的保真性，干蝕刻的設備造價比較高，應用的領(lǐng)域主要以半導體為主。

（濕蝕刻采用的蝕刻液)

濕蝕刻采用的是酸堿性的腐蝕液為蝕刻劑，通過抗腐蝕層保護不去除的部分。這種利用液態(tài)環(huán)境對金屬進行腐蝕的工藝也稱為濕蝕刻，其特點是操作簡便、易實現(xiàn)機器設備自動化生產(chǎn)，通常來說大部分的金屬都可以蝕刻，濕蝕刻應用領(lǐng)域則主要以金屬蝕刻為主。